飞虹MOS管FHP1906V在DC-DC升压电路中的应用
户外储能电源对供应链的稳定性越来越高，尤其是采用5串磷酸铁锂电池组的逆变模块，对核心功率器件的性能都是有要求的。飞虹半导体推出的FHP1906V型号MOS管，不仅可代换IRFB7545PbF，更能匹配DC-DC升压电路的设计，助力厂商打造稳定高效的储能电源产品。
更重要是其作为升级款产品，和上一代FHP1906A相比，进一步降低Qg，降低损耗，提高了品质因数FOM(RDSON*Qg)，长期稳定的升级更能凸显产品对市场的验证能力。
我们可以进一步了解产品的参数特点：
FHP1906V的主要封装形式是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
这款FHP1906V场效应管产品具体参数：Vgs(±V)：30;VTH(V)：3;ID(A)：120;BVdss(V)：60。RDS (on) = 5.0mΩ(typ)@V GS =10V、RDS (on) = 6.0mΩ(max)@V GS =10V。
升级款的FHP1906V采用先进的沟槽技术，提高了开关性能，降低了导通损耗，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。
能代换IRFB7545PbF型号参数不仅是因为参数的匹配，而且还有国产供应链的稳定性与性价比高的原因。