锐成芯微推出22nm反熔丝Anti-fuse OTP IP

在半导体芯片高度集成化、应用场景多元化的当下，嵌入式存储IP作为承载关键数据的核心单元，其可靠性、安全性与工艺适配性直接决定终端产品的性能上限。锐成芯微深耕嵌入式非易失性存储（eNVM）IP领域，包括多次可编程（MTP）和一次可编程（OTP）等IP，并获得了多家国际头部芯片设计公司采用。

作为MTP的补充，锐成芯微双技术路线布局OTP

随着集成电路工艺往前演进，对低成本高可靠OTP的需求越来越迫切，核心应用覆盖产品 ID 识别、缺陷修补、配置数据 / 程序代码 / 密钥 / 校准参数存储等场景，无需依赖外部组件即可提升芯片性能或安全性。

为此，锐成芯微以浮栅Floating Gate OTP和反熔丝Anti-fuse OTP双技术路线布局，前者主要面向90nm以上平台，后者主要面向90nm及其以下平台，实现全工艺节点覆盖，打造行业领先的OTP IP解决方案，为消费电子、汽车电子、工业控制等领域注入安全存储新动能。

锐成芯微专利技术布局Anti-fuse OTP IP

得益于在嵌入式非易失性存储（eNVM）IP领域多年的积累，构建了全球知识产权体系，锐成芯微自主研发的反熔丝Anti-fuse OTP，目前已获得美国、韩国等海内外国家和地区的专利授权，覆盖反熔丝型存储单元及存储器结构等关键领域，提供安全可控的IP解决方案。

该专利技术兼具高可靠性、读取速度快、宽读取电压域适配等特性，尤其适用于40/22nm及FinFET先进工艺节点。

全工艺兼容，无需额外光罩。这一特性对22nm及以下FinFET工艺至关重要。额外光罩会使制造成本增加30%以上，同时引入良率波动风险，通过工艺兼容设计，可直接降低客户流片成本与周期，提升方案市场竞争力。

锐成芯微22nm Anti-fuse OTP IP实测：适配低功耗场景核心需求

22nm作为AIoT、可穿戴设备及汽车电子等领域芯片的核心制程，这些应用对嵌入式非易失性存储（eNVM）的低功耗、高可靠性、抗干扰能力需求突出，而该制程下eNVM IP开发面临短通道效应、寄生电容等挑战。得益于多年自主研发经验及专利积累，锐成芯微基于22nm ULL（Ultra-Low Leakage，超低漏电‌）工艺平台开发了反熔丝Anti-fuse OTP IP，在测试中表现出了优异性能。

Anti-fuse OTP的核心价值体现在卓越的安全性、超低静态功耗、高编程良率与可靠性、工艺兼容性与灵活性等，锐成芯微的Anti-fuse OTP IP的核心性能可通过实测数据直观呈现。

关键性能参数

编程电压

● IP支持单电源供电编程，无需额外升压模块, 能有效简化电源设计复杂度；

● 编程电压范围：3.0V~3.5V，支持低功耗制造工艺；

● 在22nm工艺节点中具备显著优势；

● 适合物联网终端、可穿戴设备等电池供电产品的需求。

图1：编程电压范围（3.0V~3.5V）

编程时间

● 支持多档位编程时间配置: 20us/50us/100us；

● 用户可根据实际应用需要，灵活调节编程时间，提高生成效率。

图2：可配置多档位编程时间(20us/50us/100us)

读数阈值

● 编程前、后Icell电流阈值充分注

>25uA @ Vps = 0.8V;

>40uA @ Vps = 0.9V;

● 确保足够冗余。

*注：读取电流远超20uA阈值，确保了充足的读数冗余与可靠性。

图3. 存储单元读0/读1电流阈值

可靠性（耐久度）

● 经72小时250℃高温烘烤后，Icell数值无变化；

● 产品适用于汽车电子发动机舱、工业控制高温工况等严苛场景；

● 存储ECU固件、以及关键配置参数等核心数据。

图4. 存储单元经过72h 250℃ 高温烘烤后 Icell无变化

锐成芯微eNVM IP战略：覆盖全场景需求

锐成芯微深耕嵌入式非易失性存储（eNVM）IP十余载，与全球20余家晶圆厂和过百家芯片设计公司达成了eNVM IP合作，在MTP、BCD eFlash、Floating Gate OTP等领域已取得良好的成绩。锐成芯微eNVM IP获得国内外头部芯片设计企业采用，包括三家全球前十大Fabless芯片公司。

随着工艺往前演进，锐成芯微加大投入，进一步布局反熔丝Anti-fuse OTP IP和新型存储RRAM IP，作为现有嵌入式非易失性存储IP的补充，从而为客户提供更全面的eNVM IP支持。22nm Anti-fuse OTP IP的推出，是锐成芯微eNVM战略布局的重要组成部分。

未来，锐成芯微将继续深耕嵌入式非易失性存储IP，协同晶圆厂和芯片设计公司上下游伙伴，深化工艺与应用场景的融合，以自主核心技术为支撑，为市场提供高品质的、特色化的嵌入式非易失性存储IP技术与服务。

关于锐成芯微

成都锐成芯微科技股份有限公司（简称：Actt；锐成芯微）成立于2011年，是集成电路知识产权（IP）产品设计、授权的国家级“专精特新”高新技术企业。公司立足低功耗技术，逐步发展和构建完成以模拟及数模混合IP、嵌入式存储IP、无线射频通信IP及有线连接接口IP为主的产品格局，拥有国内外专利超150件，先后与全球超30家晶圆厂建立了合作伙伴关系，覆盖平面CMOS、FinFET、eFlash、BCD等多种工艺平台，累计推广IP 1000多项，服务全球数百家集成电路设计企业，产品广泛应用于汽车电子、工业控制、物联网、无线通信、边缘计算等领域。

锐成芯微始终以为合作伙伴提供高品质的IP产品与服务为中心，秉承诚信、责任、合作、共赢的价值理念，致力于打造深度协同的合作关系，成为产业生态中卓越的集成电路IP伙伴。